变容二极管

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产品型号:
MMBV809LT3G
产品分类:
变容二极管
产品品牌:
ON
封装:
DIODE TUNING SS 20V SOT-23
ROHS:
ROHS
库存状态:
65500
  • 详细介绍

产品介绍:


专为无线电发射机倍频而设计的高功耗变容二极管通常称为变容二极管。


变容二极管在电路中用作电控电容元件,用于在选频电路、分频和倍频、频率调制、受控移相器等中调节振荡电路的频率。


工作原理:


pn 结附近势垒耗尽层的厚度随着施加到该结构的反向电压的变化而变化


变容二极管的典型电容电压特性

在没有向电极施加外部电压的情况下, pn结中存在势垒和内部电场,其发生是由p型和n型半导体之间的接触电势差引起的。变容二极管的正常工作模式是反向偏置。如果向二极管施加反向电压(即阴极相对于阳极必须具有正电位),则该势垒的高度将会增加。外部反向电压将电子推入更深的 n 区,导致 pn 结的耗尽区扩大,即没有电荷载流子的半导体层,本质上是电介质。随着反向电压增加,耗尽层的厚度增加。这可以用扁平电容器的形式来表示,其中板是半导体的非耗尽区,并且介电层的厚度可变。


根据平行板电容器的电容公式,随着极板之间的距离增加(由反向电压值增加引起),pn结的电容将减小。这种减小受到基极厚度的限制,超出该厚度,耗尽层的厚度就无法增加;达到该最小电容后,电容不会随着反向电压的增加而变化。受控电容减小的另一个限制因素是耗尽层的电雪崩击穿。



生产介绍:


变容二极管内部结构

通常,变容二极管采用平面外延技术制造,可以优化设备的电气参数。在重掺杂低电阻半导体(通常具有n型导电性,表示为n +)的晶片上,生长低掺杂n型半导体的高电阻薄膜。利用受主杂质的扩散,在外延层的表面上形成低电阻率的p型阳极层。


该结构的侧面覆盖有低熔点玻璃,以保护表面露出的pn结并提高反向击穿电压。



基本电气和操作参数

总电容是在给定反向电压下在变容二极管端子之间测得的电容。

电容重叠系数是变容二极管上两个给定反向电压值时的电容之比。

品质因数是给定频率下变容二极管的电抗与给定电容或反向电压值下的损耗电阻 之比。

恒定反向电流 -恒定电流,在给定反向电压下流经变容二极管的漏电流。

最大允许恒定反向电压。

最大允许功耗。

电容和品质因数的温度系数 - 变容二极管容量(品质因数)的相对变化与引起它的温度绝对变化的比率。一般来说,这些系数本身取决于施加到变容二极管的反向电压值。

变容二极管的极限频率是变容二极管电导率的无功分量等于有功分量时的频率值。极限频率是在特定的反向电压和温度下测量的,而这又取决于变容二极管的类型。


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