SBR®（超级势垒整流器）
对技术进步、创新产品以及从设计到生产与客户的协作的关注使得 Diodes 公司的 SBR 产品组合不断获得市场采用并不断增加市场份额。
SBR 是下一代肖特基整流器产品，是 Diodes 公司专有的专利技术，采用 MOS 制造工艺（传统肖特基采用双极工艺）。这创造了一种卓越的两端器件，其正向电压 (V F ) 低于同类肖特基二极管，同时具有 PN 外延二极管的热稳定性和高可靠性特性。
SBR 二极管专为高功率、低损耗和快速开关应用而设计。其结构内 MOS 沟道的存在为大多数载流子形成了低势垒，因此 SBR 在低压下的正向偏置操作类似于肖特基二极管。然而，由于 PN 耗尽层的重叠以及镜像电荷势垒的降低，漏电流低于反向偏压下的肖特基二极管。
主要特性跟优点：
1. **快速开关特性：** SBR具有较快的开关速度，这使其在高频应用中表现良好。它能够迅速从导通到截止状态切换，有助于减小开关时的功耗。
2. **低正向电压降：** 相对于一般的整流二极管，SBR通常具有较低的正向电压降。这意味着在正向导通状态下，SBR引入的能量损失较小，有助于提高整体效率。
3. **低反向恢复电荷：** 与传统整流二极管相比，SBR的反向恢复电荷较低。这意味着在反向截止时，SBR的性能更接近理想的二极管，减小了反向恢复时间和功耗。
4. **低反向漏电流：** SBR通常具有较低的反向漏电流，这有助于在反向截止状态下减小功耗和改善整体电路性能。
5. **适用于高温环境：** SBR的一些型号设计适用于高温环境，具有良好的温度稳定性，这使得它们适用于一些苛刻的工作条件。
6. **用于开关电源和逆变器：** SBR常用于开关电源和逆变器等电源电子设备中。其快速开关特性和低电压降使得其在这些应用中能够提供高效的能量转换。
7. **减小反向恢复时间：** 由于SBR的反向恢复时间较短，适用于要求快速开关的电源和驱动电路中，有助于降低开关时的损耗。
8. **减小电磁干扰（EMI）：** SBR的高开关速度有助于减小电路的开关瞬态，从而降低电磁辐射和电磁干扰。
关于我们：
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