产品介绍：

肖特基二极管使用金属-半导体结作为肖特基势垒，这与使用pn 结的传统二极管不同。金属-半导体结具有许多特殊性质（不同于半导体pn结的性质）。其中包括：低正向压降、高漏电流、极低的反向恢复电荷。后者的解释是，与传统的pn结相比，此类二极管不具有与少数载流子注入相关的扩散，也就是说，它们仅在多数载流子上工作，并且其性能仅由势垒电容决定。

肖特基二极管通常以硅 (Si)、碳化硅 (SiC) [1] [2]或砷化镓 (GaAs)为基础制成，少数情况下以锗 (Ge)为基础制成。与半导体接触的金属的选择决定了肖特基二极管的许多参数。首先，这是金属-半导体界面处形成的接触电势差的大小。当使用肖特基二极管作为检测器时，它决定其灵敏度，当用于混频器时，它决定本地振荡器所需的功率。因此，最常用的金属是Ag、Au、Pt、Pd、W，它们沉积在半导体表面并提供0.2...0.9 eV的势垒值。

实际上，大多数硅（Si）基肖特基二极管都用于反向电压为几伏到几十伏的低压电路中。基于碳化硅（SiC）的器件用于较高电压电路，其最大反向电压范围为 600 至 1200 V [1] [2]。一般来说，这种二极管的正向压降不低于具有相似限制参数的硅pn结二极管，其主要优点是高速和低势垒电容。此类二极管通常用于功率因数校正器（PFC）输出电路中。

肖特基二极管优缺点：

优点

直接连接时肖特基二极管两端的电压降以及通过器件的最大允许电流为0.2-0.4伏，而对于传统的硅pn 结二极管，该值约为0.6-0.7伏。然而，当直接连接时，肖特基二极管两端的如此小的压降仅是最大允许反向电压高达数十伏的串联的特征，而在具有更高最大允许反向电压的器件中，它变得与直接压降相当。硅二极管的数量，这可能会限制肖特基二极管的使用。

肖特基二极管比pn结二极管具有更低的电容，因为它们在直流电通过时结构中没有少数电荷载流子的积累（扩散电容），因此具有更高的工作频率。这是逻辑集成电路中肖特基二极管的一个特性，肖特基二极管将晶体管的基极-集电极结分流，在晶体管开路状态下，基极多余的控制电流被带入集电极，从而防止了积聚。基极层中的少数载流子电荷。

在电力电子领域，短恢复时间使得构建数百千赫兹甚至更高频率的整流器成为可能。例如，用于整流高频电压的MBR4015二极管（最大允许反向电压15V，最大允许正向电流40A）的反向恢复时间约为10kV/μs [3]。

由于反向电阻的快速恢复，基于肖特基二极管的整流器与基于传统二极管的整流器的不同之处在于，由于在反向恢复过程中不存在二极管关断时出现的短脉冲，因此其噪声水平降低，因此它们最适合用于模拟二次电源。

缺点

即使短暂超过反向电压的最大允许值，肖特基二极管也会不可逆地失效，这与具有pn 结的传统硅二极管不同，后者进入可逆[4] 雪崩击穿模式，并且如果功率耗散，其结构也不会被破坏由二极管晶体不超过允许值；在消除高反向电压后，与肖特基二极管不同，传统二极管会完全恢复其特性。

肖特基二极管的特点是反向电流增加（相对于传统硅 pn 二极管），该电流随着晶体温度的升高而增加。例如，对于 30CPQ150，最大反向电压下的反向电流从+25 °C时的0.12 mA到+125 °C时的6.0 mA变化。对于TO220封装的低压二极管，反向电流可能超过数百毫安（MBR4015 - +125 °C时高达 600 mA ）。当肖特基二极管在高反向电流下运行时，散热条件不理想会导致其热击穿。

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