通用二极管

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产品型号:
CMF01(TE12L,Q,M)
产品分类:
通用二极管
产品品牌:
TOSHIBA
封装:
通用 600V 2A MFLAT
ROHS:
ROHS
库存状态:
54000
  • 详细介绍

产品介绍:

通用二极管(来自古希腊语 δις [1] - 二和 - 来自术语“电极”的 结尾-od;字面意思是“双电极”;词根 -od来自古希腊语ὁδός “路径” [2])- 双电极电子 一种根据施加到二极管的电压的极性而具有不同电导率的元件。二极管具有非线性电流-电压特性,但与白炽灯和热敏电阻不同,二极管的电流-电压特性是不对称的。


二极管的电极称为阳极和阴极。对于大多数二极管(真空二极管、整流 半导体二极管)来说,当施加直流电压时(即阳极相对于阴极具有正电位),二极管是开路的(直流电流流过二极管,二极管具有较低的电阻))。相反,如果对二极管施加反向电压(阴极相对阳极为正电位),则二极管截止(二极管电阻高,反向电流小,在许多情况下可以认为为零)实际案例)。

二极管的起源

二极管的发展始于 19 世纪下半叶,同时朝两个方向发展:1873 年,英国科学家F. Guthrie发现,带负电的验电器球在高白炽灯下会失去电荷,但如果带正电,电荷不会丢失。当时他们无法解释这种现象。这种现象是由热电子发射引起的,随后被用于热阴极真空二极管。1880年2月13日, 托马斯·爱迪生在延长白炽灯灯丝寿命的实验中重新发现了热电子发射,并于1883年获得了专利(美国专利号307031)。然而,爱迪生并没有进一步研究。


热离子发射二极管于 1904 年11 月 16 日由约翰·安布罗斯·弗莱明( John Ambrose Fleming,马可尼公司的科学顾问,爱迪生的前雇员)首次在英国申请专利(美国专利号803684,日期为 1905 年 11 月)。


1874年,德国科学家Karl Ferdinand Braun发现了晶体二极管的整流特性,并于1899年获得了晶体整流器的专利[4]。贾迪什·钱德拉·博斯 (Jadeesh Chandra Bose)将布朗的发现进一步发展为一种用于接收无线电波的设备。1900 年左右, Greenleaf Picard发明了第一台晶体二极管收音机。1906年11月20日 ,皮卡德获得了硅 晶体探测器的专利(美国专利号836531)。


19 世纪末,此类器件被称为整流器,直到 1919 年William Henry Eakeles才创造了“二极管”一词。

通用二极管的种类以及特性

整流二极管 是一种功能强大的二极管,设计用于在高电流和电压值下工作,旨在将交流电转换为直流电。它们用于各种用途的电源以及电力行业。

齐纳二极管(齐纳二极管)是在施加反向电压时,pn结以可逆击穿方式工作的二极管。用于稳定电压。

隧道二极管(Leo Esaki二极管)是一种利用量子力学效应的二极管。电流-电压特性具有所谓负微分电阻的区域。用于放大器、发电机等。

反向二极管 是一种隧道二极管,其通态压降比传统二极管低得多。这种二极管的工作原理是基于隧道效应。

Varicap(John Geumma 二极管)是一种当pn 结锁定时具有大电容的二极管,具体取决于所施加的反向电压的大小。用作压控可变电容器。

LED(亨利圆二极管)是一种与传统二极管不同的二极管,当直流电流流动时,当电子和空穴在pn结中复合时,它会发射光子。LED 是利用红外线、可见光以及最近的紫外线范围内的辐射生产的。

半导体激光器 是一种二极管,其设计与 LED 类似,但具有光学谐振器。发射一束窄的相干光束。

光电二极管 是一种在光照下会出现显着反向电流的二极管。此外,在光的影响下,像太阳能电池一样,它能够产生小的电动势。

太阳能电池 是类似于光电二极管的二极管,但在无偏置的情况下工作。入射到 pn 结上的光导致电子移动并产生电流。

耿氏二极管 是一种用于产生和转换微波范围频率的二极管。

肖特基二极管 是直接连接时具有低压降的二极管。

雪崩二极管 是一种工作原理基于雪崩击穿的二极管(参见电流-电压特性的反向部分)。用于保护电路免受过压影响。

雪崩二极管 是一种工作原理基于载流子雪崩倍增的二极管。用于在微波技术中产生振荡。

磁二极管 是一种电流-电压特性很大程度上取决于磁场感应值及其矢量相对于 pn 结平面的位置的二极管。

稳定器 是一种二极管,其在电流-电压特性的直接分支开始处有一个部分,可用于稳定小电压(通常为 0.5 至 3.0 V)。与齐纳二极管不同,在稳定器中,该电压几乎不受温度影响。

混频二极管是设计用于将两个高频信号相乘的二极管。

pin 二极管 - 由于存在重掺杂 p 型和 n 型半导体之间以其自身导电性为特征的材料而具有较低容量的二极管。用于微波技术、电力电子、作为光电探测器。

点二极管 是一种具有低p-n结电容 并且在电流-电压特性的反向支路上存在负微分电阻的部分的二极管。以前用于微波技术(由于pn结的低电容),并用于发生器和放大器(由于电流-电压特性的反向支路上存在负微分电阻部分)。

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