产品介绍：

稳压二极管，或称齐纳二极管， 是一种在反向偏压下以击穿模式工作的半导体二极管[1]。在发生击穿之前，流过齐纳二极管的漏电流微不足道，并且其电阻非常高[1]。当击穿发生时，通过齐纳二极管的电流急剧增加，并且其差分电阻下降到对于各种设备来说范围从几分之一欧姆到数百欧姆的值[1]。因此，在击穿模式下，齐纳二极管上的电压在很宽的反向电流范围内保持给定的精度[2]。

稳压二极管的主要目的是稳定电压[1] [2]。串行齐纳二极管的制造电压范围为 1.8 至 400伏[3]。具有隐藏结构的集成 齐纳二极管，电压约为 7 伏，是最准确、最稳定的固态参考电压源：其中最好的例子在指标总体上与普通 Weston 元件接近。高压雪崩二极管（“瞬态脉冲噪声抑制器”、“抑制器”、“TVS 二极管”）是一种特殊类型的齐纳二极管，用于保护电气设备免受过压影响。

原理介绍：

  稳压二极管是设计用于在电流-电压特性的反向支路上以击穿模式工作的二极管。在施加反向或阻断电压的二极管中，可能存在三种击穿机制：隧道击穿、雪崩击穿和热不稳定性击穿（漏电流造成的破坏性自加热）。在整流二极管（尤其是锗二极管）中观察到热击穿，但对于硅齐纳二极管来说，这并不重要。齐纳二极管的设计和制造方式使得隧道击穿、雪崩击穿或这两种现象同时发生，早在二极管晶体中出现热击穿的先决条件之前就发生了[20]。串联齐纳二极管由硅制成；由碳化硅和砷化镓制成的齐纳二极管的有前景的发展也是众所周知的[21]。

生产介绍：

   稳压二极管由单晶硅制成，采用扩散合金或平面技术，低功率二极管则采用平面技术，较少使用台面技术。平面二极管工艺使用两个或三个光刻技术。第一次光刻揭示了保护性氧化物表面上的宽窗口，然后将掺杂剂引入其中。根据所需的掺杂分布，可以使用离子注入工艺、化学气相沉积以及从气体环境或从表面膜的扩散。最初引入杂质后，在 1100–1250 °C 的温度下，杂质从表层深入到晶体中。然后进行吸杂操作 ——将表面缺陷推入晶体深处并钝化其表面。吸杂和钝化不仅降低了齐纳二极管的噪声，而且从根本上提高了其可靠性，消除了随机故障的主要原因——表面缺陷。第二次光刻为应用第一层阳极金属化薄层打开了窗口。此后，如有必要，进行阳极金属化主层的电子束沉积、第三次光刻以及从阴极侧金属的电子束沉积[31]。

晶圆被运送到装配厂，并在那里被切割成单独的晶体。齐纳二极管在晶体管（SOT23、TO220等）和微电路（DIP、SOIC等）封装中的组装是使用传统封装技术进行的。具有柔性引线的两端封装中的二极管（包括齐纳二极管）的大规模组装可以通过两种方式进行[30]：

稳压二极管的主要参数特性：

稳定电流和电压

差动电阻

电压温度系数

漂移和噪声

动态特性

安全工作区

关于我们：

   深圳市星盛电子有限公司（星盛电子）成立于2001年，总部位于深圳市福田区。发展20余年，现今公司已成为一家专业混合型电子元器件授权代理分销商。公司在香港、深圳，韩国，设有现代专业仓储3700m²的元器件仓库，可提供客户国内国外即时交易。公司拥有多个产品类别和超9000个品种的现货产品，服务于超5000家客户，代理和分销国外知名产品线数十条，主营产线：光耦，LED，保险丝、二极管、桥堆等被动器件。公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信用，欢迎各位实地来访。