雪崩二极管 是一种电子器件，半导体二极管，齐纳二极管的一种，通常由硅制成，其工作原理是基于反向导通时p-n结的可逆雪崩击穿，即当半导体具有p型导电层（ 阳极）被施加到阴极）负电压的层上。

当 pn 结中的电场强度足以进行碰撞电离时，就会发生雪崩击穿，其中由结中的场加速的电荷载流子会生成电子-空穴对。随着磁场的增加，生成的对的数量增加，从而导致电流增加，因此二极管上的电压几乎保持恒定。

一般来说，在齐纳二极管中，当结反向偏置时，有两种可逆击穿机制：隧道（齐纳）和雪崩，但它们的贡献取决于基极的电阻率（在低电阻率下，击穿本质上是隧道击穿，并且在高电阻率下是雪崩），这又取决于半导体的材料和基极的导电类型（例如，对于电子锗，在 1 Ohm⋅cm 处观察到雪崩和隧道分量的相等性）[ 1]，而击穿电压取决于半导体的掺杂程度，掺杂越弱，击穿起始电压越高（对于齐纳二极管而言，即稳定）。

雪崩击穿的特点是稳定电压随着温度的升高而增加，而齐纳机制击穿则相反。当击穿起始电压低于 5.1 V 时，以齐纳型击穿为主；高于 5.1 V 时，以雪崩击穿为主；因此，稳定电压为 5.1 V 的齐纳二极管不存在稳定电压的温度漂移，因为这两种机制的故障相互补偿。

因此，任何稳定电压大于 5.1 V 的齐纳二极管都可以被视为雪崩二极管。

在电子领域用作齐纳二极管。还用于保护电路免受过电压的影响。雪崩保护二极管的设计方式是为了排除 pn 结的一个或多个点上电流集中（拉扯）的增加，从而导致半导体结构的局部过热，以避免二极管的不可逆损坏。设计用于防止过压的二极管通常称为抑制器。

雪崩反向击穿机制也用于雪崩光电二极管和二极管噪声发生器。

随着反向电压缓慢增加，不可能显着超过稳定电压。但在高上升率（dU / dt > 10 12  V/s）下，可以向p + -nn +结构施加比稳态击穿电压高一倍半到两倍的电压，之后其电阻在大约 100 皮秒或更短的时间内急剧下降。这种从非导电到导电的超快状态变化是由于碰撞电离波的形成和传播而实现的。基于这种效应，人们开发出了一种通常由硅制成的装置——二极管雪崩锐化器（SAS 二极管）。

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